<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Глобально on Primary Warm IR Heat Source</title>
		<link>http://warm-ir-heate-source.com/ru/tags/%D0%B3%D0%BB%D0%BE%D0%B1%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%BE/</link>
		<description>Recent content in Глобально on Primary Warm IR Heat Source</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>ru</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Thu, 18 Jun 2026 00:47:06 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://warm-ir-heate-source.com/ru/tags/%D0%B3%D0%BB%D0%BE%D0%B1%D0%B0%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%BE/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Мировая торговля оборудованием для производства полупроводников</title>
				<link>http://warm-ir-heate-source.com/ru/posts/global-semiconductor-machinery-trade/</link>
				<pubDate>Thu, 18 Jun 2026 00:47:06 +0800</pubDate>
				<guid>http://warm-ir-heate-source.com/ru/posts/global-semiconductor-machinery-trade/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://warm-ir-heate-source.com/images/1764273a9805a56244015746cb190d47.png&#34; alt=&#34;Мировая торговля оборудованием для производства полупроводников&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;На производственной площадке любое изменение температуры во время обработки фотополимера может привести к полной потере всей партии продукции. Количество&lt;a href=&#34;https://o-yate.com&#34;&gt;Wafer&lt;/a&gt;ов ограничено; термические параметры также не подлежат изменению. Нет места для угадываний.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Что имеет значение с технической точки зрения&lt;/strong&gt;&#xA;Мы сосредотачиваемся на тех термических процессах, которые напрямую влияют на качество литографии: нагрев фотополимера, его последующая стабилизация. Инфракрасное излучение быстро проникает через слой фотополимера, что позволяет сократить использование растворителей и избежать эффекта «кожицы» на поверхности фотополимера. Также удается сохранять одинаковую температуру по всей поверхности Waferа в пределах ±0,1°C.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
