Trên sàn sản xuất, hiệu suất nung photoresist phụ thuộc vào các mức nanomet và độ C. Sự lệch 0.5°C trong quá trình soft bake hoặc hard bake có thể làm thay đổi độ lệch kích thước quan trọng, làm mất kiểm soát độ rộng dòng và phải loại bỏ toàn bộ lô sản xuất. Hệ thống gia nhiệt hồng ngoại (IR) trong máy track hoặc coater không cho phép biến động điện áp—cường độ đèn, ổn định phổ và cân bằng nhiệt đều phụ thuộc trực tiếp vào nguồn cấp.
Điều quan trọng về mặt kỹ thuật
Chúng tôi thiết kế bộ điều chỉnh điện áp dành cho IR fab nhằm giữ công suất đèn trong phạm vi dung sai hẹp, giúp bảo toàn ngân sách nhiệt cho từng lần đi qua wafer. Khi biến động dòng điện xảy ra, bộ điều chỉnh vẫn duy trì ổn định đầu ra ở ±0.1%, cho phép đồng đều nhiệt độ ở mức wafer ±0.1°C trên toàn bộ mặt đĩa nung. Thiết kế phù hợp môi trường phòng sạch cấp Class 1–100: kết cấu kín và vật liệu giải phóng khí thấp để không sinh ra hạt trong quá trình vận hành. Tính lặp lại đạt được nhờ điều khiển vòng kín và chu trình ramp-and-soak ổn định, đảm bảo mỗi lần soft bake và hard bake luôn giống với lô trước.
Lý do vận hành ổn định trong quy trình lithography
Trong các bước nung kề cận lithography, đầu ra IR ổn định giúp giảm các hiệu ứng bề mặt photoresist và giảm lượng dung môi giữ lại—năng suất tăng, tỷ lệ phải làm lại giảm. Kiểm soát nhiệt độ chặt chẽ rút ngắn thời gian ổn định và cân bằng biến thiên trong lô, mở rộng cửa sổ quy trình mà không làm tăng tiêu thụ năng lượng. Thiết kế dành cho vận hành liên tục 24/7 trong fab, với các linh kiện được đánh giá chịu được nhiệm vụ liên tục và chu trình nhiệt lặp lại. Dữ liệu hiện trường cho thấy tính ổn định kéo dài trên 5,000+ giờ, với sự biến động đầu ra tối thiểu.
Các chi tiết thực tiễn
Việc tương thích rất quan trọng. Chiều dài cung hồ quang đèn, dải phổ (sóng ngắn hoặc sóng trung), và tải nhiệt phải phù hợp với định mức dòng điện và giao diện kết nối của bộ điều chỉnh. Việc lắp đặt cần có bộ điều chỉnh đường dây chuyên dụng để tránh vòng đất và EMI gây ảnh hưởng đến tín hiệu cảm biến. Cần lên kế hoạch chạy thử ngắn để tinh chỉnh tham số PID theo khối lượng buồng và tải wafer của bạn.